ナイトビジョンアプリケーション(NVCMOSTM)用に最適化された裏面照射型(BSI)CMOSイメージャー技術は、ホールベースのp型ピクセル(pMOS)を採用して開発されました。この技術の利点には、従来の電子ベースのn型ピクセル(nMOS)と比較して、暗電流が低く、ランダム電信ノイズ(RTN)が少ないことが含まれます。BSIの第1世代デジタルリファレンスデザインの測定されたパフォーマンスが報告されます。現在開発中の高精細センサー(1920 x 1200)について説明します。
01 6月, 2013