ナイトビジョンアプリケーション（NVCMOS^TM）用に最適化された裏面照射型（BSI）CMOSイメージャー技術は、ホールベースのp型ピクセル（pMOS）を採用して開発されました。この技術の利点には、従来の電子ベースのn型ピクセル（nMOS）と比較して、暗電流が低く、ランダム電信ノイズ（RTN）が少ないことが含まれます。BSIの第1世代デジタルリファレンスデザインの測定されたパフォーマンスが報告されます。現在開発中の高精細センサー（1920 x 1200）について説明します。