• 30 µm平方ピクセル
  • 6つの繰り返しセグメント
  • 854 H x 1200 V
  • 2MHzピクセル時計レート
  • 3 µV / e-変換ゲイン
  • 4mV /秒の暗電流
  • オンチップの電圧および電流バイアスの生成
  • 露出開始の検出
  • 0.5 µm CISプロセス